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1-0312 - Specification for SECS-II Protocol Substrate Tracking
もし説明された水分濃度が，物理の基本的原理に基づいて予測できるなら，この方法は，ppmレンジまたはそれ以下の水分量を供給しているどんなタイプのガスの基準に対しても，適用できると考える。このようにして，分析による特性づけのみにもっぱら依存しているどんなスタンダードも，明確に除外される。
SECS-IIは，半導体製造装置通信スタンダード1（SECS-I）および，他のメッセージトランスファプロトコルと両立し得るスタンダードである。メッセージトランスファプロトコルについては，§ 6に詳述されている。
It is an aqueous immersion method in an acidified ferric chloride solution
specifications and validated analytical procedures
M09400 - SEMI M94 - Specification for Silicon Carbide Engineered Substrates Revision:SEMI M94-0625 - Current 1-0312 - Specification for SECS-II1 Purpose 1. 1 These specifications cover substrate requirements for silicon carbide engineered substrates including high purity silicon carbide layer of crystallographic polytype 4H used in semiconductor and electronic device manufacturing. 2 Scope 2. 1 A complete purchase specification may require the defining of additional physical, electrical, and bulk properties. These properties are listed, together with test methods suitable for determining